半导体工业用钌前体
您是否正在寻找一种钌前驱体来创建更细、更薄和更导电的互连？贺利氏提供8种不同的挥发性钌前体和中间体，用于原子层沉积和化学气相沉积工艺。钌作为一种新型精细互连材料，在取代铜方面显示出良好的效果。
当前互连技术的局限性
数字化、人工智能、自动驾驶和高性能终端设备的进步带来了更小、更强大的逻辑芯片。因此，高端技术节点的扩展正在向前推进，带来更小的晶体管和互连。虽然研究人员仍在继续开发更小的晶体管，但在制造更细更薄的铜制互连时却遇到了困难。
缩小铜互连有三个主要问题：
- 铜线需要用阻挡层包裹，以避免相邻材料的损坏。因此，阻挡层是减小铜线尺寸的障碍。
- 铜线越细，发生电迁移的可能性越大。
- 随着互连尺寸的缩小，铜的电阻率增大。
由于上述缺点，需要考虑新的互连材料。研究人员Wan等人在其IITC会议论文 《亚-5nm互连用钌的减法蚀刻》中指出，最有希望取代铜的候选材料之一是钌。
为什么选择钌前体
金属钌膜-由挥发性前体通过蒸发制成-当应用于直径为几纳米或更小的金属丝时，显示出优异的材料性能。
使用钌的优点包括：
- 抗热降解和电降解-提高晶体管寿命
- 高熔点-允许热易发应用
- 创建无障碍互连的可能性–允许更小的设备架构，减少工艺步骤的数量
- 低电阻率–有助于提高芯片性能，缩短开关时间
半导体工业可用的钌前体
您可以从8种钌化合物中选择一种，它们可以通过原子层沉积或化学气相沉积应用为新的互连材料。此外，我们的钌前体可用于硬掩蔽。
|
钌化合物 |
CAS 编号 |
化学式 | |
|---|---|---|---|
| Bis(ethylcyclopentadienyl)ruthenium(II) | 32992-96-4 | Ru(EtCp)2 | 询价 |
| Bis(cyclopentadienyl)ruthenium(II) | 1287-13-4 | Ru(Cp)2 | 询价 |
| Dicarbonylcyclopentadienylruthenium dimer | 12132-87-5 | [Ru(Cp)CO2]2 | 询价 |
| Bis(2,4-dimethylpentadienyl)ruthenium | 85908-78-7 | Ru(DMPD)2 | 询价 |
| (toluene)(1,5-cyclooctadiene)ruthenium | 63395-20-0 | Ru(COD)(Tol) | 询价 |
| Triruthenium Dodecacarbonyl | 15243-33-1 | Ru3(CO)12 | 询价 |
| Dichloro(p-cymene)ruthenium(II) dimer | 52462-29-0 | [Ru(p-cymene)(Cl2)]2 | 询价 |
| (p-Cymene)(N,N′-diisopropyl-1,2-ethanediimine)ruthenium | 1638669-96-1 | Ru(p-Cymene)(iPrDAD) |
将贵金属基化合物应用于芯片的金属化是半导体工业的新领域。贺利氏凭借其在贵金属化学方面的丰富经验和在贵金属服务方面的丰富经验为您提供支持。
